
Potencia tu sistema con la Memoria Samsung 8GB DDR5 5600B. Velocidad extrema, corrección de errores interna y eficiencia de 1.1V. ¡La agilidad de procesamiento y estabilidad de hardware que tu PC de última generación demanda!
- SKU:5941
- Estado:En Stock
- Tipo:MEMORIA
- Marca:SAMSUNG
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Descripción
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La Samsung DDR5 M323R1B4PB0 ha sido desarrollada para entornos que exigen una transferencia de datos masiva y una latencia mínima. Gracias a su arquitectura de doble canal de 32 bits por módulo, esta pieza técnica garantiza una eficiencia operativa superior en comparación con el estándar anterior, optimizando el rendimiento de procesadores multinúcleo modernos. Su tecnología de corrección de errores en el chip (On-die ECC) es una característica vital para asegurar la integridad de la información y la fiabilidad del hardware, permitiendo una operatividad continua en aplicaciones de desarrollo, edición y gestión de bases de datos.
Características Principales:
Frecuencia de 5600 MT/s: Proporciona una velocidad de ráfaga líder en la industria, una característica esencial para eliminar cuellos de botella en el procesamiento de datos complejos.
Eficiencia Energética de 1.1V: Consume menos energía que la generación DDR4, reduciendo la carga térmica del sistema y prolongando la vida útil de los componentes internos.
Tecnología On-die ECC (Error Correction Code): Detecta y corrige errores de bits internamente antes de que afecten al sistema, garantizando una estabilidad de hardware absoluta.
Circuito Integrado de Gestión de Energía (PMIC): Incorpora la regulación de voltaje directamente en el módulo, una característica esencial para un suministro de energía más estable y preciso.
Arquitectura de Memoria DDR5: Dobla la longitud de ráfaga (Burst Length) de 8 a 16, permitiendo que el hardware acceda a más datos en un solo ciclo de reloj.
Calidad de Fabricación Samsung: Producida por el líder mundial en semiconductores, asegurando una compatibilidad total con chipsets de última generación de Intel y AMD.
Especificaciones Técnicas:
Capacidad: 8 GB.
Tipo de Memoria: DDR5 SDRAM.
Formato: DIMM de 288 pines.
Velocidad de Reloj: 5600 MHz (PC5-44800).
Voltaje: 1.1 V.
Configuración de Módulo: Unbuffered / Non-ECC (con ECC interno de chip).
Latencia CAS: Estándar de alto rendimiento para 5600B.
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